GaN功率器件
基于氮化镓材料制造的功率半导体器件，包括HEMT（高电子迁移率晶体管）等产品。具有低开关损耗、高开关频率和耐高温特性，比传统硅基器件提升3倍以上功率密度。应用于新能源汽车OBC、数据中心电源模块及电动工具电机驱动系统。
碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片
采用碳化硅衬底制作的氮化镓外延材料，结合碳化硅的高热导率与氮化镓的宽禁带特性，支持高频、高温、高功率应用。主要面向5G基站射频器件、电动汽车车载充电系统及工业级大功率电源等场景。
硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片
基于硅衬底生长的氮化镓外延材料，具有高热导率和高电子迁移率特性，适用于中低压功率器件，可显著提升电源转换效率并降低成本。主要应用于消费电子快充、LED照明和服务器电源等领域。
融资次数
3
员工数量
小于50人
专利数量
4
经营范围
半导体科技、新能源科技、电子技术领域内的技术开发、技术服务、技术咨询、技术转让，集成电路芯片设计及服务、电子元器件、计算机软件及辅助设备、照明器材、汽车零配件的销售，从事货物及技术进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
作为一家GaN半导体材料制造商，主力生产GaN-on-Si外延片、GaN-on-SiC外延片和GaN功率器件，服务于消费、汽车、工具中心和工业市场，提供高性能材料解决方案。
聚力成半导体（上海）有限公司
有限责任公司（外商投资、非独资）
￥2.3845亿
2019-02-25
刘箭
xhli@glcgrp.com
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼