氮化镓功率器件技术
聚力成开发基于GaN的外延片制造高电子迁移率晶体管（HEMT）和二极管，创新点在于创新的栅极结构设计（如T形栅或多级场板）优化电场分布，并结合单片集成驱动和保护电路，提升开关速度和效率。该技术通过先进的钝化工艺增强器件可靠性和热稳定性。
碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）外延技术
聚力成基于碳化硅衬底生长氮化镓外延层，创新点包括优化界面钝化技术（如使用原位蚀刻和GaN缓冲层）减少界面缺陷，提升电子迁移率和击穿电压。该技术通过精确控制外延生长参数，实现高频高功率特性，适合恶劣环境应用。
硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术
聚力成采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺在硅衬底上生长高质量氮化镓层，创新点在于通过独特的应力缓冲层设计（如AlN/AlGaN多层结构）有效管理晶格失配和热失配，降低缺陷密度并提升晶体质量。该技术实现了高迁移率通道和低界面态密度，支持高压和高电流操作。
融资次数
3
员工数量
小于50人
专利数量
4
经营范围
半导体科技、新能源科技、电子技术领域内的技术开发、技术服务、技术咨询、技术转让，集成电路芯片设计及服务、电子元器件、计算机软件及辅助设备、照明器材、汽车零配件的销售，从事货物及技术进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
作为一家GaN半导体材料制造商，主力生产GaN-on-Si外延片、GaN-on-SiC外延片和GaN功率器件，服务于消费、汽车、工具中心和工业市场，提供高性能材料解决方案。
聚力成半导体（上海）有限公司
有限责任公司（外商投资、非独资）
￥2.3845亿
2019-02-25
刘箭
xhli@glcgrp.com
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼