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陛通股份
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化学气相沉积技术
该公司开发的化学气相沉积(CVD)设备采用多层反应腔设计和智能温度控制系统,针对薄膜沉积进行优化。核心创新在于集成原位监测技术,实现原子层级的薄膜控制,应用于低k介电层和金属层的沉积,具有出色的膜层均一性和粘附性,可减少工艺波动并提升产量。
等离子体刻蚀技术
陛通股份在半导体制造设备中采用先进的等离子体刻蚀技术,包括高密度等离子体源(如ICP或CCP)的创新设计、精密射频电源控制系统以及优化的气体分布机制。该技术实现纳米级特征尺寸的刻蚀精度,通过实时监控和自适应算法提高刻蚀均匀性,适用于复杂结构的刻蚀工艺,创新点包括降低颗粒污染和提高能效。
融资次数
6
员工数量
100-499人
专利数量
164
经营范围
一般项目:半导体生产用镀膜设备、半导体生产用溅射设备、磁控溅射设备和其他电子专用设备的设计、研发和制造,包括配套设备和零配件,销售自产产品并提供相关的技术咨询、技术服务(涉及许可经营的凭许可证经营);上述相关设备及配套零配件的批发及进出口(不涉及国营贸易管理商品,涉及配额、许可证管理商品的,按国家有关规定办理申请)。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
主营业务
半导体设备技术服务与维护
公司全称
上海陛通半导体能源科技股份有限公司
公司类型
股份有限公司(中外合资、未上市)
注册资本
¥5,345万
成立时间
2008-11-17
法定代表人
宋维聪
电话
021-50151663
邮箱
marrina_ma@betonetech.com
地址
上海市浦东新区庆达路315号13幢3F