碳化硅高压功率器件
基于碳化硅(SiC)材料的高压功率器件，利用宽带隙特性实现高击穿电压和快速开关能力，并减少反向恢复电荷损失。创新点包括高温烧结工艺和界面优化设计，提升器件的热导率和工作稳定性，支持更高效的高压高频操作。
沟槽型IGBT功率开关器件
沟槽型IGBT采用沟槽栅极结构设计，显著减少电流路径长度，提升栅极密度，实现更高的开关频率和更低的导通损耗。相比传统平面型IGBT，其创新点包括优化沟槽深度和掺杂剖面，以降低漏电流和提高热稳定性，适用于高功率密度场景。
融资次数
4
员工数量
小于50人
专利数量
21
经营范围
许可项目：检验检测服务（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准）一般项目：集成电路芯片设计及服务；半导体分立器件销售；半导体分立器件制造；半导体器件专用设备销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；半导体器件专用设备制造；信息技术咨询服务；电子产品销售；电力电子元器件销售；电子专用材料销售；技术进出口；货物进出口；进出口代理（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
研发和生产世界先进水平的低能耗功率开关器件，提供节能高效的功率半导体解决方案。
苏州中瑞宏芯半导体有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥903万
2021-06-23
张振中
0512-83876609
中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区东长路88号2.5产业园N3幢101室