客制化工艺开发服务
基于客户特定需求，宽能半导体提供定制的SiC功率器件制造工艺，涵盖器件结构优化、材料选择、电性能调整等环节。服务包括新产品原型开发、量产工艺优化和失效分析，旨在提升器件的独特性能指标，如更高的开关频率或特殊环境适应性，适用于医疗电子、航空航天等细分领域。
标准工艺平台代工服务
宽能半导体自主开发的标准工艺平台，针对SiC功率器件制造提供全套流程支持，包括外延生长、离子注入、高温退火等关键工艺步骤。该平台可实现高良率生产，加速客户产品从设计到量产的导入进程，降低成本和提升器件一致性，服务对象为半导体设计公司或IDM厂商。
碳化硅MOSFET
宽能半导体的碳化硅MOSFET产品包括650V、1200V和1700V等电压级别，具有低导通电阻、高开关速度、高温操作能力及抗辐射性能等优势。它们主要应用于大功率转换系统，如电动车辆电机驱动、数据中心电源模块和智能电网设备，提供比传统硅基器件更高的能源效率和功率密度。
碳化硅肖特基二极管
宽能半导体提供的碳化硅肖特基二极管是一种高性能功率半导体器件，具有低正向电压降、高开关频率、优越的热稳定性和可靠性等特点。这些器件适用于电动汽车充电系统、可再生能源逆变器、工业电源等高效能应用场景，通过优化工艺减少能量损耗和提升系统效率。