碳化硅肖特基二极管技术
基于SiC材料的肖特基二极管创新工艺，采用先进的热场管理系统和表面钝化技术，创新点在于优化的结终端设计，实现低正向压降（VF）和高反向阻断电压，提升浪涌耐受性和可靠性。该技术专注于减少寄生效应，支持高频操作。
碳化硅MOSFET先进工艺平台
宽能半导体专注于SiC MOSFET的研发与制造，采用自研优化工艺平台，包括高精度薄膜沉积和蚀刻技术，创新点为独特的平面栅结构设计，有效降低导通电阻（Ron）并提升高温稳定性。该技术结合了缺陷控制和栅极优化方案，支持高电压应用（如1200V/1700V级别），确保器件在高温（>150°C）下保持高效开关特性。