SiC 功率器件
碳化硅（SiC）MOSFET和二极管器件基于宽禁带材料，提供高温操作能力（最高200°C以上）、高开关频率（MHz级）和低功率损耗特性，适用于高效率电力转换。产品包括SiC MOSFET（电压范围650V至1200V），具有低Rds(on)（可低至15mΩ）和高反向恢复性能，以及SiC SBD（肖特基势垒二极管）用于整流应用。这些器件在电动汽车OBC（车载充电器）、光伏逆变器和智能电网中的高频电源系统中有广泛应用，支持可再生能源集成和节能目标，通过ISO/IEC 27001认证，确保了热稳定性和长期可靠性。
TVS 保护器件
TVS（瞬态电压抑制器）二极管系列提供过压保护功能，抑制ESD（静电放电）、雷击和浪涌电压（峰值可达数百伏）。产品特性包括低钳位电压、快速响应时间（小于1ps），以及高能量吸收能力（最高达数百焦耳），用于电路板的输入保护。广泛应用于汽车电子的CAN总线、ECU模块，工业控制系统的I/O端口，以及电源管理单元的浪涌防护中。TVS器件通过AEC-Q101认证和ISO 14001标准，确保在恶劣环境下（如湿度变化）的耐久性和可靠性，支持低漏电流设计（小于1μA）。
SGT/MOSFET 功率器件
SGT（屏蔽栅沟槽）MOSFET系列采用先进沟槽结构，提供高开关频率、低Rds(on)（导通电阻可低至10mΩ）和高能效特性，用于DC-DC转换、电源管理和智能终端供电。产品涵盖中低电压范围（30V至200V），包括分立器件和模块化设计，适用于USB-C充电器、服务器电源和便携式设备等场景。积塔半导体的SGT工艺优化了热性能，提高功率密度，结合低Qg（栅极电荷）设计，减小开关损耗，并通过VDA 6.3 (Grade A)认证，满足汽车启停系统和工业电机控制的需求。
IGBT/FRD 功率器件
IGBT（绝缘栅双极晶体管）和FRD（快恢复二极管）芯片是用于高功率开关和整流的关键组件。IGBT模块提供高达1700V的电压容量和低Vce(sat)特性，支持高速切换（100kHz以上），适用于电动汽车的电控系统、工业变频器和可再生能源逆变器。FRD作为辅助器件，具备低反向恢复时间（小于100ns），减少开关损耗。这些器件在汽车电子（如电机驱动）、智能电网（如储能系统）和轨道交通（如电力转换）中应用广泛，符合IATF 16949和AEC-Q101标准，确保高温和冲击下的可靠性。
BCD工艺芯片
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）芯片采用高集成度工艺，将双极性、CMOS和DMOS技术结合于单一芯片，用于高电压、高电流场景的电源管理和模拟信号处理。产品特性包括支持多电压平台（最高达100V以上）、高功率密度、低功耗设计，广泛用于汽车电子的ECU、电源管理系统，以及工业控制系统的DC-DC转换器和LED驱动等应用。积塔半导体的BCD工艺以高可靠性和工艺稳定性著称，通过ISO/TS 16949认证，满足了高温环境下（-40°C至150°C）的工业需求。
融资次数
5
员工数量
1000-4999人
专利数量
505
经营范围
集成电路芯片设计及服务，集成电路芯片制造，从事半导体科技、集成电路领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，电子元器件、电子产品、计算机软件及辅助设备的销售，计算机系统集成，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
积塔半导体是一家特色工艺集成电路芯片制造企业，专注于模拟电路和功率器件所需的特色生产工艺研发与代工服务，包括BCD、IGBT/FRD、SGT/MOSFET、TVS和SiC器件制造，服务于高端市场如汽车电子和工业控制领域，并在相关代工领域保持领先地位。
上海积塔半导体有限公司
其他有限责任公司
￥169.074亿
2017-11-15
陈忠国
021-38879600
neil_nie@gtasemi.com.cn
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号