SiC功率器件
SiC（碳化硅）功率半导体基于宽禁带材料特性，提供高击穿电场和热导率。积塔半导体在SiC晶圆制造和器件工艺上创新，如肖特基势垒结构优化，显著提升功率转换效率和高温耐受能力。
TVS器件技术
TVS（瞬态电压抑制器）技术用于瞬态过压保护。积塔半导体采用特定扩散工艺和集成设计创新，实现低钳位电压和高浪涌电流能力，快速响应电压尖峰保护敏感电路元件。
SGT/MOSFET技术
SGT（超级结技术）MOSFET提供高功率密度和低导通电阻。积塔半导体通过优化沟槽设计和多外延层结构创新，实现更小器件尺寸和高效能表现，显著降低开关损耗并提高功率转换效率。
IGBT/FRD技术
IGBT（绝缘栅双极晶体管）/FRD（快恢复二极管）技术结合MOSFET的开关速度和双极晶体管的高电流处理能力。积塔半导体在IGBT制造上采用深槽刻蚀工艺创新，减少导通损耗和提高切换效率；FRD集成实现快速恢复特性，增强系统整体性能。
BCD工艺
BCD工艺是一种集成Bipolar（双极晶体管）、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）技术的半导体制造工艺。积塔半导体在高电压BCD工艺上领先，支持电压范围高达700V，创新点包括优化的隔离技术减少漏电，以及深掺杂工艺增强耐压性能，实现高集成度和低功耗设计。
细分行业
融资次数
5
员工数量
1000-4999人
专利数量
505
经营范围
集成电路芯片设计及服务，集成电路芯片制造，从事半导体科技、集成电路领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，电子元器件、电子产品、计算机软件及辅助设备的销售，计算机系统集成，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
积塔半导体是一家特色工艺集成电路芯片制造企业，专注于模拟电路和功率器件所需的特色生产工艺研发与代工服务，包括BCD、IGBT/FRD、SGT/MOSFET、TVS和SiC器件制造，服务于高端市场如汽车电子和工业控制领域，并在相关代工领域保持领先地位。
上海积塔半导体有限公司
其他有限责任公司
￥169.074亿
2017-11-15
陈忠国
neil_nie@gtasemi.com.cn
中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号