碳化硅(SiC)功率半导体技术
研发碳化硅基功率半导体技术，包括SiC MOSFET和SiC二极管。创新点涉及先进的晶圆外延生长工艺和栅极氧化物优化，提供比硅器件更高的开关频率、效率和耐高温能力，同时通过模块化封装减少系统尺寸和热阻抗。
FRD快恢复二极管技术
专注于快恢复二极管(FRD)的研发，旨在配合IGBT实现高频开关和高效率。创新点在于新型器件结构设计，如减少反向恢复时间和反向恢复电流，通过材料优化提升快速开关特性，支持高可靠性和低损耗运行。
IGBT芯片和模块技术
赛晶半导体专注于绝缘栅双极晶体管(IGBT)的研发，包括晶圆设计、芯片制造和模块封装。创新点包括优化的沟槽栅结构以降低导通损耗和开关噪声，以及通过先进热管理方案提升高温稳定性和功率密度。
融资次数
3
员工数量
100-499人
专利数量
48
经营范围
绝缘栅双极型晶体管IGBT、半导体元器件及其他电子元器件的研发、设计、生产及销售。
主营业务
高端功率半导体产品（包括IGBT、FRD和碳化硅芯片及模块）的研发和制造，致力于推动能源可持续发展和绿色能源转型，应用于电动车、智能电网及工业电力系统。
赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司
有限责任公司（港澳台投资、非独资）
$4,253万
2019-09-25
项颉
0573-84819808
gqx@sunking-tech.com
浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道晋吉路58号