大功率电力电子器件
该系列器件包括氧化镓基的肖特基势垒二极管（SBDs）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs），额定电压达1.2 kV以上，支持高电流密度（>1 kA/cm²）和低导通电阻（<0.1 mΩ·cm²），用于高效能源转换系统如电动汽车充电器、电源适配器和工业逆变器。设计采用垂直结构或平面布局，具备高温耐受力（工作温度>150°C）和低开关损耗，符合国际电力电子标准如IEEE和JEDEC。
高灵敏日盲紫外探测器件
该器件基于氧化镓材料设计，工作在200-280纳米的日盲紫外波段，对可见光不敏感，具备超高灵敏度（探测率超过10¹² Jones）和快速响应时间（低于毫秒级）。应用包括火焰检测、生化分析、空间遥感等，结构设计为肖特基或PIN光电二极管，提供低噪声操作和宽温域稳定性（-40°C至150°C），符合工业安全标准和环境监测需求。
单晶及外延生长设备
此设备涵盖用于氧化镓单晶生长的垂直布里奇曼法（VBG）或浮区法（FZ）系统，以及用于外延处理的物理气相沉积（PVD）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备。其特点是高精度温度控制（达2000°C以上）、真空环境优化和自动化生长过程，支持高效生产高质量氧化镓材料，可应用于实验室研发和大规模工业化场景，确保材料均匀性和可重复性。
高质量氧化镓单晶衬底及外延晶片
该产品包括高纯度的β-Ga₂O₃（氧化镓）单晶衬底，其尺寸可达2英寸或更大，杂质浓度控制在ppb级别，用于支撑高性能半导体器件的外延生长。外延晶片涉及同质或异质外延结构，如采用分子束外延（MBE）或化学气相沉积（CVD）技术在衬底上沉积氧化镓薄膜，适用于大功率电力电子和紫外线探测应用，具备低缺陷密度和优异的热稳定性。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
29
经营范围
制造6英寸及以上集成电路生产设备；制造碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件；销售电子专用设备、电子元器件；技术开发、技术推广、技术咨询、技术转让、技术服务；技术进出口、货物进出口、代理进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
专注于氧化镓半导体材料、相关器件及设备的研发、生产与销售，聚焦于高质量衬底、生长设备、探测器与功率器件等核心氧化镓技术产品的产业化。
北京镓和半导体有限公司
其他有限责任公司
￥1,788万
2021-07-27
唐为华
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