大功率电力电子器件制造技术
开发氧化镓基肖特基势垒二极管（SBD）或场效应晶体管（FET），创新点在于采用超结结构或场板设计优化电场分布，提升击穿电压（>1 kV）和电流密度（>100 A/cm²），同时通过减薄工艺和热管理方案降低导通电阻（<1 mΩ·cm²）和开关损耗。该技术结合氧化镓的宽带隙特性，实现高效能量转换。
高灵敏日盲紫外探测器件技术
基于氧化镓的天然日盲特性（对波长<280 nm紫外光敏感而对可见光不响应），开发金属-半导体-金属（MSM）或PIN型光电探测器，创新点在于利用表面钝化技术和纳米结构设计（如纳米线阵列），提高量子效率（>40%）和响应速度（ns级），同时降低暗电流和噪声。该技术实现宽波段、高信噪比的探测能力。
氧化镓外延晶片生长技术
使用金属有机气相外延（MOVPE）或分子束外延（MBE）方法在氧化镓衬底上沉积高质量异质外延层，创新点在于优化气源比例、生长温度和界面工程，减少晶格失配引起的缺陷（如降低界面态密度至<10¹⁰ cm⁻²），实现高速率、高均匀性的薄膜生长，支持高性能器件集成。该技术可控制掺杂浓度（如Sn掺杂N型层），增强载流子迁移率。
高质量氧化镓单晶衬底生长技术
采用浮带法（FZ）或边缘限制薄膜馈给生长（EFG）方法生长β-氧化镓（β-Ga₂O₃）单晶衬底，创新点在于通过精确控制氧分压、温度梯度和晶体提拉速率，实现低缺陷密度（<10³ cm⁻²）和大尺寸晶圆（如4英寸直径），确保材料的高热导性和化学稳定性。该技术避免了传统熔体法引入的污染和位错问题，适合大规模生产。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
29
经营范围
制造6英寸及以上集成电路生产设备；制造碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件；销售电子专用设备、电子元器件；技术开发、技术推广、技术咨询、技术转让、技术服务；技术进出口、货物进出口、代理进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
专注于氧化镓半导体材料、相关器件及设备的研发、生产与销售，聚焦于高质量衬底、生长设备、探测器与功率器件等核心氧化镓技术产品的产业化。
北京镓和半导体有限公司
其他有限责任公司
￥1,788万
2021-07-27
唐为华
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北京市怀柔区雁栖经济开发区雁栖大街53号院13号楼3层01-325室