功率器件驱动芯片技术
该技术开发专用驱动芯片，用于匹配SiC功率器件的快速开关需求。创新点在于集成精确的控制逻辑和保护电路（如过压和过热防护），优化开关时序以降低延迟和损耗。
汽车级碳化硅功率模块技术
该技术实现碳化硅功率模块的汽车级封装，创新点在于封装材料和热管理设计（如采用低热阻基板和绑定技术），确保模块在恶劣环境下的可靠性和长寿命。研发重点包括优化功率密度和满足AEC-Q101标准。
碳化硅MOSFET技术
该技术涉及碳化硅 MOSFET芯片的设计与优化，创新点在于采用沟槽结构或单元布局来降低导通电阻和提升开关速度。研发重点在增强高频操作能力和高温耐受性，以提高器件集成度和系统效率。
碳化硅二极管技术
该技术专注于碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）的研发，创新点在于优化材料和结构设计，以实现高效整流和低损耗。重点在控制肖特基势垒高度和杂质均匀性，提升高温稳定性与可靠性。
融资次数
12
员工数量
50-99人
专利数量
176
经营范围
一般经营项目是：半导体集成电路、半导体分立器件、晶圆的委外加工。技术服务、技术咨询及相关服务，技术进出口业务(国家限定或禁止进出口的技术除外)。经营进出口业务(法律、行政法规、国务院决定禁止的项目除外,限制的项目须取得许可后方可经营)。，许可经营项目是：半导体材料和器件的研究、开发、生产和销售。
主营业务
碳化硅功率器件的研发制造与产业化，包括二极管、MOSFET芯片、汽车级功率模块及驱动芯片等核心产品
深圳基本半导体股份有限公司
有限责任公司
￥5,366万
2016-06-07
和巍巍
0755-22670439
zhangyu@basicsemi.com
深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201