多晶硅抛光液

多晶硅抛光液主要应用于 FinFET 与 MOSFET 晶体管的抛光工艺，并服务于各类先进集成方案。ANST目前提供两款多晶硅抛光液：1）以高去除速率实现多晶硅材料快速去除（Bulk Removal）缩短制程时间的粗抛液；2）通过精准调控实现图形片缺陷控制（Pattern Control）的多晶硅抛光液，并具备高选择比，低缺陷率，可定制化等特点。两款产品协同应用，可全面满足高端制程对效率与良率的双重需求。

介质层化学机械抛光液

公司现有两类层间电介质（ILD）化学机械抛光液，包括基于氧化硅纳米颗粒的抛光液和氧化铈纳米颗粒的抛光液：氧化硅纳米颗粒的ILD抛光液具有高去除速率、高平坦化效率、低缺陷的优点；氧化铈纳米颗粒的ILD抛光液具有高去除速率、高平坦化效率、低缺陷、低成本的优点。

浅槽隔离化学机械抛光液

基于氧化铈纳米颗粒的浅槽隔离（STI）化学机械抛光液用于集成电路制造工艺中浅槽隔离的抛光，具有高选择比、选择比可调、高平坦化效率、低缺陷率和低成本等优点。

钨化学机械抛光液

金属钨抛光液用于集成电路制造工艺中钨塞和钨通孔的平坦化。公司现有两种基于氧化硅磨料的钨化学机械抛光液，包括高选择比的钨本体抛光液和高稀释比的钨本体抛光液；具有可调的钨去除速率。产品可应用于逻辑芯片和存储芯片中钨的平坦化。同时，更多类型的钨CMP抛光液产品正在持续研发中。