N30V 1mΩ级别沟槽型 MOSFET

新洁能

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新洁能研发团队沟槽型工艺平台推出耐压30V 1mΩ级别增强型N沟道MOSFET 系列产品。

产品优势

采用超高元胞密度、小线宽设计，使用新洁能特有的沟槽型工艺平台，搭配优化后的大电流产品封装工艺，以NCE011N30GU为例，导通电阻典型值低至0.75mR,持续电流ID高达325A,优异的参数表现展示了沟槽型芯片设计和封装等工艺的技术实力。系列产品具有超高电流密度，超高抗雪崩击穿能力以及高可靠性表现，器件通过100% 雪崩测试，具有较优的鲁棒性，产品性能卓越，为市场提供经济高效的产品解决方案。

产品特点

○ 高功电流密度

○ 超低导通阻抗

○ 高散热性能

○ 高可靠性