CF纳米图形晶圆检测设备最高瑕疵分辨率: 130纳米，可以适用130纳米以上制程的wafer检测检测精度:150nm适用于：FAB晶圆制造过程工艺控制、FAB晶圆制造终检品质控制（图形图案和随机性缺陷检测）、先进芯片封装集成的缺陷检测可检测：2D检测：脏污、异物、划痕、小裂缝、刮伤、压伤、边缘破损、崩边、崩角等
CF纳米图形晶圆检测设备最高瑕疵分辨率: 130纳米，可以适用130纳米以上制程的wafer检测检测精度:150nm适用于：FAB晶圆制造过程工艺控制、FAB晶圆制造终检品质控制（图形图案和随机性缺陷检测）、先进芯片封装集成的缺陷检测可检测：2D检测：脏污、异物、划痕、小裂缝、刮伤、压伤、边缘破损、崩边、崩角等