干法刻蚀(Dry Etch)
基于反应离子刻蚀(RIE)或电感耦合等离子体(ICP)技术,通过控制气体化学、等离子体密度及偏置电压,实现高各向异性刻蚀。尤其在金属与介质刻蚀领域具备特色工艺,如高深宽比接触孔刻蚀和磁性材料(MTJ)图形化。
毫秒级退火(Millisecond Annealing)
采用高能闪光灯(Flash Lamp)或激光在毫秒级时间内(通常1-20ms)将晶圆表层瞬时加热至超高温(最高达1300℃),实现超浅结活化而不引起深层扩散。关键技术在于瞬态能量耦合控制与热梯度管理。
快速热处理(Rapid Thermal Processing, RTP)
通过高精度卤素灯阵列与闭环温控系统,实现晶圆的超快速升降温(升降温速率可达100℃/秒以上)。精确控制热预算,在秒级时间尺度内完成激活、氧化、合金化等工艺,解决先进制程中浅结形成与杂质扩散控制难题。
干法去胶(Dry Strip)
主要采用基于氧气或含氟气体的等离子体技术,在低温环境下高效去除晶圆表面的光刻胶、聚合物残留物及改性层。特别在先进逻辑和存储芯片制造中,其低温等离子体工艺能显著减少对超薄栅氧化层、高K介质层和超浅结的损伤。
细分行业
A股代码
688729.SH
经营范围
半导体的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务;销售电子产品、机械设备、五金交电;货物进出口、技术进出口、代理进出口;生产半导体刻蚀、去胶、快速退火设备。(市场主体依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
北京屹唐半导体科技股份有限公司
股份有限公司(外商投资、未上市)
¥26.6亿
2015-12-30
张文冬
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