干法刻蚀（Dry Etch）
基于反应离子刻蚀（RIE）或电感耦合等离子体（ICP）技术，通过控制气体化学、等离子体密度及偏置电压，实现高各向异性刻蚀。尤其在金属与介质刻蚀领域具备特色工艺，如高深宽比接触孔刻蚀和磁性材料（MTJ）图形化。
毫秒级退火（Millisecond Annealing）
采用高能闪光灯（Flash Lamp）或激光在毫秒级时间内（通常1-20ms）将晶圆表层瞬时加热至超高温（最高达1300℃），实现超浅结活化而不引起深层扩散。关键技术在于瞬态能量耦合控制与热梯度管理。
快速热处理（Rapid Thermal Processing, RTP）
通过高精度卤素灯阵列与闭环温控系统，实现晶圆的超快速升降温（升降温速率可达100℃/秒以上）。精确控制热预算，在秒级时间尺度内完成激活、氧化、合金化等工艺，解决先进制程中浅结形成与杂质扩散控制难题。
干法去胶（Dry Strip）
主要采用基于氧气或含氟气体的等离子体技术，在低温环境下高效去除晶圆表面的光刻胶、聚合物残留物及改性层。特别在先进逻辑和存储芯片制造中，其低温等离子体工艺能显著减少对超薄栅氧化层、高K介质层和超浅结的损伤。
细分行业
A股代码
688729.SH
经营范围
半导体的技术开发、技术转让、技术咨询、技术服务；销售电子产品、机械设备、五金交电；货物进出口、技术进出口、代理进出口；生产半导体刻蚀、去胶、快速退火设备。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
北京屹唐半导体科技股份有限公司
股份有限公司（外商投资、未上市）
￥26.6亿
2015-12-30
张文冬
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