宽禁带半导体功率器件设计
开发基于β相氧化镓（β-Ga₂O₃）的垂直型肖特基势垒二极管，采用离子注入形成场限环终端结构，结合SiO₂/Al₂O₃叠层介质钝化工艺，实现击穿电场强度8MV/cm的超高压特性。
硅基光子集成技术
采用250nm SOI平台实现光电子混合集成，通过亚微米级波导刻蚀与锗硅探测器单片集成技术，完成12通道波长可调谐激光器阵列与高速调制器的晶圆级键合封装。
GaN基光电子器件制造技术
基于第三代半导体材料氮化镓（GaN）的紫外LED外延结构设计与器件制备，通过MOCVD外延生长优化量子阱界面陡峭度与掺杂分布，实现峰值波长265-280nm深紫外光发射。
融资次数
1
员工数量
小于50人
经营范围
一般项目：光电子器件制造；光电子器件销售；电子元器件制造；电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用材料销售；集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品销售；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；货物进出口；技术进出口（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
公司核心业务为半导体器件的制造、销售及相关技术研发，专注于光电子器件、电子元器件和集成电路芯片的生产与服务。
南京晶耀芯辉半导体科技有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥138万
2023-10-31
李笑寒
13584059321
61843447@qq.com
南京市玄武区同仁西街7号园区北二层