高性能半导体器件开发
基于氧化镓材料开发各类半导体器件，包括功率电子器件（如场效应晶体管（FET）和二极管）、光电子器件（如紫外探测器），致力于提升器件效率、耐压性能和可靠性，以满足电力电子和光电应用需求。
氧化镓外延薄膜制备
专注于使用先进技术（如金属有机化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE））生长高纯度氧化镓外延薄膜，为高性能半导体器件提供核心材料基础。