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北电集成
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数模混合信号工艺
基于55nm节点的混合信号集成技术,采用三层金属光罩方案实现精密模拟电路与高速数字电路的共芯片集成。
FD-SOI工艺
全耗尽型绝缘体上硅工艺,采用10nm级超薄硅层与埋氧层结构,通过背栅偏置技术实现动态阈值电压调节。
RF-CMOS工艺
28nm-55nm射频CMOS工艺,集成高Q值无源元件与低噪声放大器设计,通过铜互连和超低介电常数介质层优化射频性能。
HV-CMOS工艺
28nm-55nm高压互补金属氧化物半导体工艺,专为高电压操作需求设计,通过优化栅极结构和隔离技术实现高压器件的低漏电特性。
融资次数
1
员工数量
-
经营范围
一般项目:集成电路制造;集成电路销售;技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;电子元器件制造;半导体分立器件制造;半导体分立器件销售;货物进出口;技术进出口;进出口代理;物业管理。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)(不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)
主营业务
12英寸集成电路晶圆制造及相关技术服务
公司全称
北京电控集成电路制造有限责任公司
公司类型
其他有限责任公司
注册资本
¥200亿
成立时间
2023-10-27
法定代表人
刘锋
电话
010-50973045
邮箱
beidianjicheng@163.com
地址
北京市北京经济技术开发区荣昌东街甲5号3号楼9层901-3