精密模拟信号链技术
面向工业传感的高精度数据采集方案，整合24位Σ-Δ ADC（INL<±1.5ppm）及零漂移运放（Vos<0.25μV/℃）。核心技术包含：动态元件匹配(DEM)、斩波稳定(CHS)架构、片上基准源（温漂3ppm/℃）。支持热电偶/RTD/电桥等传感器直连，集成PGA（增益128V/V）及50Hz工频陷波器。
射频前端模块 (FEM) 集成技术
采用系统级封装(SiP)集成PA/LNA/Switch/Filter的完整射频通路，支持n77/n78/n79等5G Sub-6GHz频段。关键技术包括：高隔离度SOI开关（隔离度>35dB@3GHz）、温度补偿型BAW滤波器（带外抑制>50dBc）、包络跟踪(ET)电源技术（提升PA效率30%）。模块尺寸小于4×6mm²，满足智能手机空间约束。
高速互连IP技术
基于SerDes架构的物理层IP核，支持PCIe 5.0/6.0（32G/64GT/s）、400G/800G以太网（IEEE 802.3bs/cd）及DDR5/LPDDR5X接口，采用DSP-Based均衡技术（CTLE+DFE+FFE）实现30dB以上通道损耗补偿。核心创新包括：自适应预加重算法（±6dB调节步进0.1dB）、低抖动CDR（RJ<0.015UI）、亚毫瓦级能效设计（<0.5pJ/bit）。
高频微波通信芯片设计
专注于Ka/V波段毫米波集成电路设计，采用先进的GaAs/GaN HEMT工艺及硅基CMOS工艺实现高频、高功率、低噪声特性，支持28GHz/39GHz等5G NR频段，具备波束赋形与MIMO集成能力。关键技术点包括：超低相位噪声VCO设计（相噪<-110dBc/Hz@1MHz）、高效率功率放大器（PAE>35%@28GHz）、高线性混频器（IIP3>15dBm）。