核心团队
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专利列表 (10)
序号
申请日期
专利名称
1
2023-12-25
耗尽型氮化镓HEMT器件及其制造方法
2
2023-12-22
一种具有阶梯周期缓冲层的氮化镓HEMT器件及其制造方法
3
2023-12-11
具有阶梯式欧姆金属的氮化镓HEMT器件及其制造方法
4
2023-12-11
具有欧姆金属阶梯场板的氮化镓HEMT器件及其制造方法
5
2023-12-01
具有碳含量阶梯分布的缓冲层的氮化镓HEMT器件及其制造方法
6
2023-11-22
具有SiGaN复合栅极钝化层的耗尽型氮化镓HEMT器件及其制备方法
7
2023-11-20
基于多晶硅栅极的耗尽型MIS器件、器件版图结构以及制造方法
8
2023-11-17
HEMT器件的制造方法极其制造方法
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融资次数
2
员工数量
小于50人
专利数量
10
公司简介
深圳镓楠半导体科技有限公司是一家半导体设备生产商，公司主要经营集成电路设计；集成电路销售；集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品销售；电子专用材料研发；电子元器件批发；电子元器件零售；工程和技术研究和试验发展；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广。
经营范围
集成电路设计；集成电路销售；集成电路芯片设计及服务；集成电路芯片及产品销售；电子专用材料研发；电子元器件批发；电子元器件零售；工程和技术研究和试验发展；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）^技术进出口；货物进出口。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准）
主营业务
半导体领域
深圳镓楠半导体科技有限公司
有限责任公司
￥364万
2023-07-10
姜涛
深圳市坪山区坪山街道六联社区联浪路16号海科兴留学生产业园C栋401-A46