量子阱红外探测器技术
该技术基于量子阱红外探测器(QWIP)，工作于8-12μm长波红外波段，涵盖单元探测器和制冷焦平面组件。创新点为高速响应性能和高均匀性阵列，可集成主动制冷系统以提升探测精度。
InGaAs短波红外焦平面阵列技术
该技术采用InGaAs材料实现短波红外(SWIR, 1.0-1.7μm)焦平面阵列，具备宽光谱响应和低温灵敏特性。创新点为高动态范围像素设计和实时成像能力，适用于低照度环境。
850nm GaAs光电子技术
该技术利用GaAs基底制造PIN光电二极管和垂直腔面发射激光器(VCSEL)，工作于850nm短波长波段。创新点在于高可靠性的VCSEL设计和低成本晶圆工艺，支持高调制速率和能耗效率。
1310/1550nm InGaAs光电子芯片技术
该技术基于InGaAs材料，专为1310nm和1550nm通信波长设计，涵盖PIN光电二极管、雪崩光电二极管(APD)、法布里-珀罗(FP)和分布式反馈(DFB)激光二极管。创新点在于高响应量子效率和优化噪声性能，适用于高速光信号探测和发射。
融资次数
5
员工数量
100-499人
专利数量
155
经营范围
光电材料、光电子器件、光电设备、光电仪器、信息技术产品的研发、生产、销售并从事上述领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让；光电设备租赁；企业管理咨询；市场调研；从事上述商品及技术的出口业务和机械设备及零配件的进口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）一般项目：光学仪器制造；光学仪器销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电子专用材料制造；信息技术咨询服务（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
研发、制造和销售光电探测芯片、光发射芯片及红外传感芯片，包括InGaAs PIN/APD、GaAs VCSEL、SWIR焦平面和QWIP探测器等核心产品，同时提供半导体外延和代工服务。
苏州苏纳光电有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥627万
2014-11-18
黄寓洋
chuchenghong@suna-opto.com
中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区1幢101、102室