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单晶金刚石宽禁带半导体材料及器件研发商
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电子器件级单晶金刚石薄膜的外延生长和掺杂技术
实现电子级高质量单晶金刚石薄膜的外延和掺杂技术,创新点包括低缺陷外延层生长和精确硼/磷掺杂控制,突破掺杂均匀性难题,实现载流子浓度可调(10^16-10^19 cm^{-3}),为高性能半导体器件提供基础材料支持。
面向5G通信用的5G通信金刚石基GaN复合器件技术
针对5G高频应用开发的金刚石基氮化镓(GaN)复合器件技术,创新点在于界面集成和应力控制,利用金刚石的高热导率(>2000 W/mK)和GaN的优异载流子迁移率,提升功率密度和散热效率,降低互调失真,适用于高频大功率场景。
英寸级大面积、高质量单晶金刚石衬底量产“克隆技术”
实现英寸级大面积单晶金刚石的规模量产技术,创新点在于高精度种子晶片处理和可控生长参数,确保单晶质量高、缺陷密度低,可实现良品率高达90%以上,解决了大尺寸金刚石衬底难以批产的行业挑战。
低成本、高效率微波等离子体CVD设备开发和生产技术
基于微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)的设备技术,创新点在于优化等离子体源设计和反应腔体结构,实现高功率密度、稳定微波能量耦合,显著降低能耗和制造成本,同时提高沉积速率和薄膜均匀性,适用于工业级大规模生产。
融资次数
2
员工数量
小于50人
专利数量
26
经营范围
大功率半导体材料、半导体器件、高频纳米材料、纳米器件的研发、生产、加工、销售及技术咨询;软件的研发、销售及技术服务;科研及生产用半导体材料设备及部件的开发、生产及销售;纳米材料研发及技术转让;货物与技术的进出口经营(国家限制、禁止和须经审批进出口的货物和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务
电子器件级单晶金刚石衬底的制备、金刚石半导体MPCVD生长设备的研发制造,以及基于核心材料(金刚石衬底、外延片)的金刚石半导体器件的研发与生产,致力于推动金刚石超宽禁带半导体技术的产业化应用。
公司全称
西安德盟特半导体科技有限公司
公司类型
有限责任公司(自然人投资或控股)
注册资本
¥9,975万
成立时间
2016-03-21
法定代表人
王宏社
电话
029-82668155
邮箱
dmt82668168@163.com
地址
陕西省西安市高新区高新一路18号海归楼4层1896创客空间4169号