HJT光伏电池技术
异质结本征薄膜技术（Heterojunction with Intrinsic Thin layer）采用N型晶体硅基片与非晶硅层结合，形成异质结结构。通过沉积本征非晶硅层实现高效钝化，创新点包括超高双面率（达90-95%以上）、零光致衰减（LID）、低温制造工艺（操作温度低于200°C）和优异弱光性能。结合5G+自动化智能生产线，提升工艺控制和产量一致性。
TOPCon光伏电池技术
隧穿氧化物钝化接触技术（Tunnel Oxide Passivated Contact）是一种基于N型硅片的太阳能电池结构。通过超薄氧化硅层和多晶硅层形成钝化接触界面，显著降低表面复合损失，提高开路电压（Voc）至740mV以上。创新点在于高转换效率（可达24.5%以上）、优异的高温性能（低温度系数约-0.29%/°C）和低光致衰减（LID），与自动化智能生产线结合实现高良率量产。