功率MOSFET技术
功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术用于中低功率开关应用，核心创新点在于Trench栅结构优化，降低了导通电阻并提高了器件的耐用性和开关速度。
IGBT技术
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术是一种用于高功率开关和变频控制的功率半导体技术。燕东微的创新点在于采用平面栅结构设计，优化了器件开关速度和热管理性能，适用于高频高效应用。
高压BCD工艺
高压BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺是一种用于高性能模拟集成电路的先进技术，能集成双极型晶体管、CMOS逻辑和高压DMOS功率器件于单一芯片上。燕东微的创新点在于优化制程参数，实现了高电压处理能力（如600V以上）和低损耗设计，特别针对电源管理应用进行了性能提升。
A股代码
688172.SH
员工数量
500-999人
专利数量
144
经营范围
制造、加工半导体器件；设计、销售半导体器件及其应用技术服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务，但国家限定公司经营或禁止进出口的商品及技术除外；机动车公共停车场服务；出租商业用房、出租办公用房；物业管理。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
模拟集成电路及分立器件的设计、制造、销售一体化IDM服务
北京燕东微电子股份有限公司
股份有限公司(非上市、国有控股)
￥10.1924亿
1987-10-06
张劲松
50973000
office@ydme.com
北京市朝阳区东直门外西八间房