退火设备
该设备用于热处理晶圆，修复注入损伤、激活掺杂剂或改善薄膜特性。采用快速热退火（RTP）或激光退火技术，提升集成电路性能和可靠性。应用于后注入退火、金属互连退火等制程环节，支持先进节点器件制造。
离子注入设备
该设备通过加速离子束注入晶圆表面，改变半导体材料的电学特性，形成掺杂区域如源漏结。主要用于CMOS制造中的掺杂工艺，支持浅结注入和深结注入。应用领域包括逻辑芯片、模拟芯片和功率器件的生产，提供精确剂量控制和离子束能量调整能力。
清洗设备
该设备通过湿化学或等离子体技术移除晶圆表面的杂质、颗粒、光刻胶残留物和氧化物层。在半导体制造的关键步骤如蚀刻前、沉积后和晶圆准备中确保表面清洁。具体包括单晶圆清洗和批次清洗系统，用于提高良品率和可靠性，应用于前道制程和后道封装。
化学气相沉积设备（CVD）
该设备采用化学反应在晶圆上沉积薄膜，如氧化硅、氮化硅或低介电常数材料。广泛应用于半导体制造中的绝缘层、保护层和填充层形成，支持高纵横比结构填充。适用于存储器件、逻辑芯片的介质沉积工艺，具备高沉积速率和良好均匀性。
物理气相沉积设备（PVD）
该设备通过物理方法在晶圆表面沉积金属膜层，如铝、铜、钛或氮化钛等。主要用于半导体器件的金属化工艺，提供高均匀性和粘附性膜层。具体应用包括制备互连层、阻挡层，以及用于高密度集成电路的先进封装技术中。
等离子蚀刻设备
该设备利用等离子体技术在晶圆表面进行高精度蚀刻工艺，去除不需要的半导体材料层，形成微型电路结构。广泛应用于集成电路（IC）制造，包括逻辑芯片、存储器芯片的制程中。其核心优势在于精度高、吞吐量大、并能处理多种材料体系。
A股代码
002371.SZ
员工数量
50-99人
专利数量
474
经营范围
组装生产集成电路设备、光伏设备、TFT设备、真空设备、锂离子电池设备、流量计、电子元器件；销售集成电路设备、光伏设备、TFT设备、真空设备、锂离子电池设备、流量计、电子元器件；技术咨询；技术开发；技术转让；经济贸易咨询；投资及投资管理；货物进出口；技术进出口；代理进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
半导体集成电路设备的研发、生产和销售
北方华创科技集团股份有限公司
其他股份有限公司(上市)
￥4.9644亿
2001-09-28
赵晋荣
010-57840281
ncar@naura.com
北京市朝阳区酒仙桥东路1号