EEPROM存储器设计技术
利用SONOS（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）电荷俘获结构实现的高耐久EEPROM技术，创新点包括精密分层介电质设计和栅极工程，大幅提升擦写次数和数据保持稳定性。该技术通过电荷泵电路优化，降低操作功耗并支持在宽温度范围下的可靠工作。
NOR Flash存储器设计技术
基于55nm先进工艺节点实现的低功耗NOR Flash设计，突出创新点为优化的串行外围接口(SPI)协议集成和动态电压调整机制，提升随机访问速度和能效比。该技术采用电荷俘获式单元结构，支持高密度存储并减少漏电流，适用于嵌入式系统中的代码执行。
A股代码
688766.SH
员工数量
100-499人
专利数量
151
经营范围
半导体、集成电路及相关产品的开发、设计、销售，网络科技、计算机技术领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
非易失性存储器芯片的设计与销售，专注于NOR Flash和EEPROM两大通用型芯片产品
普冉半导体（上海）股份有限公司
股份有限公司(上市、外商投资企业投资)
￥7,552万
2016-01-04
王楠
021-61347010
hr@puyasemi.com
中国（上海）自由贸易试验区申江路5005弄1号9层整层（实际楼层8楼）