超级结MOSFET技术
锴威特的超级结MOSFET技术基于电荷平衡原理，采用垂直结构设计，有效降低了导通电阻（RDS(on)）。创新点在于优化漂移区域布局，减少寄生电容，实现高频（100kHz以上）高效能转换，同时通过先进封装技术如TO-247或D2PAK提升散热性能。
高压IGBT技术
锴威特的高压IGBT技术采用先进的沟槽栅结构设计，通过优化电荷载流子注入和抽取机制，实现了高耐压（例如600V至1200V）和低开关损耗。创新点包括集成温度补偿电路以减少热失控风险，以及应用局部寿命控制技术提升器件可靠性。
细分行业
员工数量
50-99人
专利数量
150
经营范围
半导体分立器件、集成电路和系统模块的生产、设计、测试、销售；自营和代理各类商品及技术的进出口业务；软件设计、开发、销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
从事智能功率半导体器件与集成芯片的研发、生产和销售，专注于为机器人、无人机、充电桩及电动汽车等前沿应用领域提供核心芯片解决方案。
苏州锴威特半导体股份有限公司
股份有限公司(上市)
￥7,368万
2015-01-22
罗寅
0512-58979952
shaoxh@convertsemi.com
张家港市杨舍镇华昌路10号沙洲湖科创园B2幢01室