RF-SOI技术
硅上绝缘体射频技术用于高性能射频前端模块，通过优化绝缘层和布局减少串扰，创新点包括高Q因数和低插入损耗设计，在5G高频段支持宽带信号处理。
嵌入式闪存技术
基于55纳米工艺的嵌入式非易失性存储器技术，专为微控制器设计，支持高密度存储和快速读写，创新点在于采用低功耗架构和错误校验机制，确保在复杂环境下长时间数据保持且漏电低。
高压BCD工艺
华虹半导体采用的高压BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术在单一芯片上集成双极器件、CMOS逻辑和DMOS功率器件，实现电压能力高达700V的功率管理功能，创新点包括高密度集成和先进的散热管理架构，优化了热扩散效率和抗闩锁能力。
A股代码
688347.SH
港股代码
01347.HK
主营业务
专注于特色工艺的半导体晶圆代工服务，重点覆盖功率器件、嵌入式存储及先进射频三大核心领域。
华虹半导体有限公司
公众股份有限公司
2005-01-21
JUN YE
ir@hhgrace.com