硅衬底氮化镓基发光二极管技术
晶能光电的原创技术创新，通过在廉价的硅衬底上生长氮化镓（GaN）外延层，克服了晶格失配（硅与GaN的晶格常数差异较大）和热膨胀系数不匹配的关键挑战。该技术采用独特的缓冲层设计（如AlN过渡层）和应力管理工艺，实现了高性能蓝光和白光LED器件的低成本量产，颠覆了传统蓝宝石和碳化硅衬底垄断的半导体照明技术路线。
融资次数
4
员工数量
100-499人
专利数量
241
经营范围
微电子和光电子材料、芯片、器件的研发、生产、销售；(以上项目依法需经批准的项目，需经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务
专门从事硅衬底氮化镓基LED外延材料与芯片的生产、开发和销售，通过原创核心技术服务于半导体照明产业链。
晶能光电股份有限公司
股份有限公司(非上市、自然人投资或控股)
￥3.8928亿
2006-02-13
涂洪平
lp@latticepower.com
江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号