功率VDMOS技术（低压沟槽/高压平面）
低压产品采用深沟槽工艺，减小单元尺寸，优化栅电荷 (Qg) 和导通电阻 (Rds(on))，实现极低的FOM (Rds(on) * Qg)。高压产品采用多环 RESURF 终端设计和优化的元胞结构平衡 Rds(on) 与开关性能。
高性能 TVS/ESD 保护器件技术
涵盖钳位型及触发型TVS (如固态放电管/触发二极管/阻尼二极管)。设计采用多结结构、精确雪崩触发及低电容设计。实现纳秒级响应、高浪涌能力（如Ipp>100A）与低钳位电压比 (Vc/Vbr)。ESD二极管阵列集成多路低电容通道保护。
超快恢复二极管 (FRED) / 整流二极管技术
采用精确寿命控制技术（如电子辐照、铂/金掺杂）优化少子寿命，在保持低正向压降的同时，实现极短的反向恢复时间（trr）和软恢复特性。先进的扩散和结终端设计保障高压能力。
碳化硅 (SiC) 功率器件技术
基于宽禁带半导体材料碳化硅，开发高压肖特基二极管 (SiC SBD) 及 MOSFET。利用SiC的高临界击穿电场、高热导率和高电子饱和漂移速度特性。通过外延层优化和终端结构设计实现高击穿电压及低比导通电阻。栅氧化层工艺和封装技术注重高温可靠性。
平面/沟槽 LOW VF 肖特基二极管技术
通过优化金属-半导体接触界面结构和沟槽刻蚀工艺，显著降低正向导通压降（VF），同时维持低反向漏电流特性。沟槽结构设计减少了电流拥挤效应，提升了高温下的电荷控制能力。
员工数量
小于50人
专利数量
12
经营范围
电子元器件的研发、制造、销售、技术服务；半导体芯片的设计、制造、销售；电力设备、电子设备、仪器仪表的研发、销售；计算机软硬件的销售、技术服务；半导体设备及配件、化工产品（不含危险化学品）的销售。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
新芯微电子的主营业务是自主研发生产电子元器件，包括平面、沟槽LOW VF、碳化硅肖特基二极管全系列产品、超快恢复二极管、TVS二极管等二极管类器件，以及碳化硅MOS、低压沟槽VDMOS和高压功率VDMOS等MOS器件，服务于军工、工控、电力电子、新能源汽车、仪器仪表家用电器、节能环保和绿色照明等多个行业。
济南新芯微电子有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
2020-06-29
田李庄
中国（山东）自由贸易试验区济南片区天辰路299号海信天辰九号B-2312