国产化 MOCVD 高端设备
自主研发的金属有机化学气相沉积设备，专为在硅衬底上生长高质量氮化镓外延层设计。该设备核心特点包括先进的温度控制系统、精确的气体流量调控和高真空环境管理，实现高产量、低缺陷率的薄膜沉积。主要用于半导体外延材料生产，支持硅基氮化镓技术的产业化，适用于大规模制造环境如晶圆代工厂或研发实验室。设备强调国产化，旨在降低对进口设备的依赖，推动国内半导体材料的自给自足。
硅基氮化镓外延片
这是一种基于硅衬底的氮化镓外延材料，通过在硅基板上生长高性能氮化镓薄膜层，提供优异的电子特性，如高电子迁移率、高击穿电压和低导通电阻。主要用于电力电子器件的制造，包括功率转换器、无线充电模块、服务器电源和电动车驱动系统等，能够显著提高能源转换效率和器件可靠性。材料制造过程采用 MOCVD 技术，确保层厚均匀和低缺陷密度。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
7
经营范围
一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用材料销售；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；机械设备销售；机械零件、零部件销售；电子产品销售；机械电气设备销售（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
苏州中科重仪半导体材料有限公司的主营业务是基于硅基氮化镓技术，通过自主研发的高端设备和材料生产，为电力电子领域提供高品质硅基氮化镓外延材料解决方案和服务，包括从设备研发到材料生产及客户定制化服务的完整链式服务。
苏州中科重仪半导体材料有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥1,083万
2022-08-23
胡晓海
13901007317
717204769@qq.com
苏州市吴江区江陵街道龙桥路1368号青禾创客五楼503室