第三代半导体功率器件技术
专注于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料的射频与功率电子器件制造，采用硅基或SiC基的外延生长技术。创新点包括高性能晶体管设计（如增强型GaN HEMT）用于高频和高温环境，显著提升功率转换效率（如达98%以上），满足5G和电动车的高要求。
micro-LED显示集成技术
开发微米级LED像素的巨量转移和封装技术，实现高密度、自发光显示阵列。创新点包括高效转移方法和单片集成工艺（如使用选择性外延生长），支持超高分辨率（>1000 PPI）和低功耗运行，突破传统LED的限制，适用于柔性及透明显示场景。
化合物半导体外延片制造技术
基于金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，在蓝宝石或硅基底上生长高质量氮化镓（GaN）外延层，用于高效发光二极管（LED）芯片制造。创新点包括优化外延生长工艺以提升量子效率和亮度（例如，采用先进材料工程减少晶格缺陷），并实现大规模蓝光LED芯片的低成本生产，支撑节能和高可靠性应用。
员工数量
500-999人
专利数量
63
经营范围
一般项目：集成电路设计；集成电路制造；电子元器件制造；其他电子器件制造；半导体分立器件制造；集成电路销售；半导体照明器件销售；贵金属冶炼；金属链条及其他金属制品销售；工程和技术研究和试验发展（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动） 许可项目：货物进出口；技术进出口；进出口代理（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准）
主营业务
专注于半导体分立器件和照明器件的研发、制造与销售
泉州市三安集成电路有限公司
有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
2021-04-29
蔡文必
meiqin_chen@sanan-ic.com
福建省泉州市南安市石井镇古山村莲山工业区2号