ZK-MicroLED专用MOCVD系统
该系统是专为Micro-LED显示应用定制的MOCVD设备，聚焦于氮化镓（GaN）微米级LED结构的生长。设备特征包括精密的量子阱层控制（均匀性达0.5%）、低缺陷生长技术（缺陷密度控制在10^3 cm^-2以下），并支持蓝宝石或硅衬底上的高分辨率外延。应用场景涵盖AR/VR显示、微显示器和高密度LED阵列生产。系统集成了原位光学监控和快速热退火功能，以提高良率和量产能力，确保在Micro-LED市场的竞争优势。
ZK-B1系列MOCVD设备
ZK-B1系列设备专为先进化合物半导体材料设计，优化用于砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）的外延生长。设备支持多片反应腔（最高可达8片2英寸晶片），具备高生产效率和低运行成本特性（耗气量优化以减少材料浪费）。技术参数包括高温稳定性（高达1100°C）和优秀的界面控制能力，适用于高频微波射频应用（如5G通信基片）和光电子器件。自动化的气路切换和原位监测系统确保了工艺的可靠性和重复性，兼容行业标准MOCVD技术规范。
ZK-A1系列MOCVD设备
ZK-A1系列设备是基于金属有机化合物气相沉积（MOCVD）技术的高端设备，主要用于氮化镓（GaN）和铝镓氮（AlGaN）的外延生长。该设备支持大规模晶片生长（如2英寸和4英寸衬底），具有高生长速率、低缺陷密度（低于10^4 cm^-2）和高均匀性（厚度和组分均匀性小于1%）。应用领域包括功率电子（如GaN基HEMT器件）、Micro-LED显示（提供高亮度LED外延结构）以及微波射频器件生产。设备配备智能控制系统，可实现精确的温度和气体流控，符合半导体行业严格的洁净室要求。
员工数量
小于50人
专利数量
7
经营范围
技术开发；技术咨询；技术转让；技术服务；制造碳化硅、氮化镓、氮化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件；销售机械设备、电子产品。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
设计和制造金属有机化合物气相沉积（MOCVD）高端设备，并提供相关技术支持和维护服务，为半导体行业提供国产化解决方案，以提升化合物半导体材料的生产效率和品质。
北京中科重仪半导体科技有限公司
其他有限责任公司
2021-04-29
胡晓海
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