广能达半导体
全固态射频电源生产商
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电感耦合等离子体
大功率射频功放用于电感耦合等离子体技术,支持高性能等离子体发生和控管。
太阳能薄膜电池工艺
射频电源在太阳能薄膜电池生产中用于薄膜沉积和蚀刻工艺,优化电池效率和质量。
等离子体工艺
公司产品适用于等离子体工艺领域,提供可靠的射频能量源,用于材料表面处理等应用。
半导体工艺
射频电源广泛应用于半导体制造工艺中,支持蚀刻、沉积等关键环节,确保工艺稳定性。
射频激励CO2激光器系统
公司射频电源产品在射频激励CO2激光器系统中用于精准控制激光输出,提升系统性能。
医疗核磁共振(MRI)设备
公司生产射频电源和大功率射频功放,主要应用于医疗核磁共振设备中,提供稳定高效的射频信号支持。
科创行业
专利数量
9
经营范围
一般经营项目是:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;软件开发;电子专用材料研发;五金产品研发;配电开关控制设备研发。(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动),许可经营项目是:其他电子器件制造;电工器材制造;电工机械专用设备制造;电力电子元器件制造。
主营业务
全固态射频电源、射频自动匹配器和大功率线性功放的研发、生产、销售和维护。
公司全称
深圳市广能达半导体科技有限公司
公司类型
有限责任公司
成立时间
2021-12-30
法定代表人
张振伟
邮箱
szzwpp8@qq.com
地址
深圳市宝安区新桥街道黄埔社区上南东路128号1号厂房五层