杭纳半导体 - 公司详情 - 核心技术

采用射频谐振加速结构的低能大束流注入系统，创新性整合束流自动聚焦透镜组与三维剂量分布补偿算法。关键技术突破在于基于AI的束流剖面实时预测模型，通过150个以上原位传感器数据融合，动态修正注入角度偏差至±0.05°，实现掺杂浓度梯度误差<3%的精准控制。

基于分子束外延（MBE）与物理气相沉积（PVD）融合的纳米级薄膜制备技术，通过多腔室真空集群架构实现10⁻⁸ Pa级超高真空环境。其核心创新点在于闭环式膜厚实时监控系统，采用X射线反射仪（XRR）结合原位光谱椭偏仪，实现亚纳米级（<0.1nm）膜厚控制精度与成分梯度调控。

科创行业

高端装备智能制造

员工数量

小于50人

专利数量

经营范围

一般项目：半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；泵及真空设备制造；泵及真空设备销售；机械电气设备制造；机械电气设备销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；技术进出口；进出口代理；货物进出口(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。

主营业务

半导体器件专用设备的研发、制造和销售，包括泵及真空设备等相关支持设备的业务运营。

公司全称

杭纳半导体装备（杭州）有限公司

公司类型

有限责任公司(自然人投资或控股)

成立时间

2022-07-15

法定代表人

来华杭

邮箱

laihuahang@hnnec.com

网址

地址

浙江省杭州市萧山区经济技术开发区萧山机器人小镇鸿兴路389号