1200V 80毫欧碳化硅MOS
源沥半导体成功量产的1200V碳化硅MOSFET芯片产品，具有80毫欧的导通电阻指标。基于碳化硅材料开发，该产品支持高温工作环境和高开关频率，适用于高效率电力系统如新能源汽车充电器、太阳能逆变器和工业变频设备，提供卓越的节能性能和可靠性。
30V SGT MOS
源沥半导体成功量产的30V击穿电压SGT MOSFET芯片产品，SGT代表超级结沟槽门技术（Super Junction Trench Gate），属于创新型功率半导体器件。该产品提供低导通电阻和高开关频率特性，常用于低电压应用如消费电子电源管理、电池保护和DC-DC转换器。
650V IGBT产品
源沥半导体成功量产的650V击穿电压IGBT芯片产品，基于公司独有配方和领先技术开发。该产品采用绝缘栅双极晶体管结构，适用于高功率开关场景如逆变器、电源模块和电机驱动系统，提供高效率和高可靠性。