1200V 80毫欧碳化硅MOS
1200V 80mΩ SiC MOS 是一种基于碳化硅材料的金属氧化物半导体场效应管，额定电压1200伏，导通电阻80毫欧。利用碳化硅的优异材料特性，支持高温高频操作，效率高、开关速度快。适用于电动汽车充电器、太阳能逆变器和数据中心电源等高要求领域，提供出色的热稳定性和功率密度。
30V SGT MOS
30V SGT MOS 是一种屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应管，操作电压30伏。采用先进的屏蔽栅技术，降低开关损耗和栅极电容，优化用于低压、高功率密度应用，如电源转换器、消费电子电源管理和电池供电设备。产品提供高可靠性和低导通电阻，满足高效率设计需求。
650V IGBT产品
这是一种额定电压为650伏的绝缘栅双极晶体管产品，设计用于高压功率开关应用。它具有高效率、低损耗特性，适用于工业变频器、电机驱动和可再生能源系统。公司通过与国内外晶圆代工厂合作，成功实现量产，并提供可靠的电气性能参数。