电阻式随机存取存储器（RRAM）
睿科微电子的RRAM技术基于忆阻器原理，采用先进的金属氧化物（如氧化铪HfO₂）作为电阻切换材料，实现非易失性存储。主要创新点在于优化的双极切换机制和工艺设计，支持低电压操作（可低至1V以下），实现高可靠性（耐久性超过10^12次擦写）和纳米级可扩展性（兼容28nm及以下制程）。此外，技术集成物理不可克隆函数（PUF）功能，通过器件固有的随机电阻波动提供硬件级信息安全保护，避免软件漏洞。
融资次数
4
员工数量
小于50人
专利数量
33
经营范围
集成电路芯片的设计、技术开发和销售；集成电路芯片方案的设计；计算机软件、电子产品的技术开发；网络及系统软件系统集成；信息咨询（不含人才中介服务）；自营和代理各类商品或技术的进出口业务（国家限定或禁止的除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
电阻式随机存取存储器（RRAM）技术的研发、授权和商业化，包括为嵌入式及物联网设备提供高性能存储产品。
合肥睿科微电子有限公司
有限责任公司(中外合资)
￥3,765万
2018-01-18
罗茁
0551-62521280
dkang@reliancememory.com
合肥市高新区创新产业园二期F4楼11层