IGBT
绝缘栅双极型晶体管，兼具MOSFET高输入阻抗和BJT低导通压降特性，支持大电流高压开关操作。广泛应用于光伏逆变器主电路、工业电机驱动、电动汽车充电桩及大功率电力转换设备。
超级结MOSFET
采用超级结（Super Junction）结构的功率器件，实现导通电阻与击穿电压间的优化平衡。适用于600-900V高压场景，如UPS不间断电源、充电桩模块及工业变频器等新能源电力转换系统。
分离栅MOSFET
基于分裂栅极技术的MOSFET，通过优化栅极电荷分布降低开关损耗，提升能效转换效率。适用于高密度集成的电源模块、快速充电系统及光伏逆变器的辅助电源管理。
Trench MOSFET
沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用垂直沟槽栅极结构，具备低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和优良的散热性能。主要应用于消费电子电源管理、电池保护系统（BMS）及电机驱动等低压高频场景。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
3
经营范围
一般项目：工程和技术研究和试验发展；集成电路制造；集成电路芯片及产品制造；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路设计；集成电路芯片设计及服务；电力电子元器件制造；电子元器件制造；电子元器件批发；电子元器件零售；电力电子元器件销售；半导体分立器件制造；半导体分立器件销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；货物进出口；技术进出口；进出口代理（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
功率半导体器件的设计与销售，聚焦Trench MOSFET、分离栅MOSFET、超级结MOSFET及IGBT等产品的研发
无锡商甲半导体有限公司
有限责任公司
￥1,161万
2023-08-03
丁磊
0510-88318678
tina.sun@lindesemi.cn
无锡经济开发区太湖街道震泽路688号太湖湾信息技术产业园1号楼523-9