SGT MOS
屏蔽栅沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管，在电源管理领域中提供增强的栅极保护和高效率，常用于消费电子和汽车电子系统。
超结MOS
超级结金属氧化物半导体场效应晶体管，专为高频率和高效率设计，适用于服务器电源和工业设备，具有优越的开关特性和降低的能量损耗。
低压Trench MOS
低压沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管，适用于高效率电源管理场景，如移动设备电源和嵌入式系统，提供快速开关性能和低功耗。
高压VDMOS
高压垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，主要用于功率转换和开关应用，如电源供应器和逆变器，具有高电压承受能力和低导通电阻特性。
员工数量
小于50人
专利数量
50
经营范围
集成电路、电子元器件、电子产品、半导体器件研发、设计、制造、销售、技术服务；计算机软硬件研发、销售；工业设计；货物或技术的进出口（国家禁止或涉及行政审批的货物和技术进出口除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
功率器件产品的研发、生产、销售和服务
南京华瑞微集成电路有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股的法人独资)
2018-05-18
刘海波
bella@hr-micro.com
南京市浦口区江浦街道浦滨大道88号