650V GaN FET
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产品详情
这是一种基于氮化镓（GaN）的高压场效应晶体管，工作在650伏特电压下，专为高效率功率转换设计。适用于快充充电器、服务器电源适配器等消费电子应用。特点包括高开关频率（高达2MHz）、低导通电阻、良好的热性能，能显著减少能量损失，提升设备效率和功率密度。产品通过严格的可靠性和EMI测试，符合行业标准如AEC-Q101。
融资次数
1
员工数量
小于50人
专利数量
7
公司简介
顶诺微电子(北京)有限公司成立于2018年，是一家集功率半导体系列产品的研发、生产、销售及服务于一体的高科技企业。公司专注于第三代半导体氮化镓芯片的设计与制造。
经营范围
销售电子产品、计算机、软件及辅助设备、自行开发的产品；技术进出口、货物进出口、代理进出口；设计、制作、代理、发布广告；技术开发、技术咨询、技术转让、技术推广、技术服务；计算机系统服务；基础软件服务；应用软件服务；软件开发；软件咨询；产品设计；工程和技术研究与试验发展。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
第三代半导体氮化镓芯片的研发、生产和销售
顶诺微电子（北京）有限公司
其他有限责任公司
￥208万
2018-06-27
夏令
15901159058
wang.zhen@dnmicron.com
北京市海淀区中关村南大街5号二区683栋20层17