碳化硅功率半导体技术
上海镨芯电子专注于第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)的研发与应用,通过创新的芯片结构设计和制造工艺(如优化的沟槽栅极布局和低缺陷外延生长),实现了高性能SiC MOSFET及二极管。创新点包括:通过元胞几何优化降低开关损耗(提升能效达15%以上)、采用热管理增强技术改善散热性能(支持高达200°C的高温运行)。