砷化镓（GaAs）晶片
半绝缘砷化镓衬底片，直径3-6英寸，电阻率≥10^7Ω·cm，应用于5G通信射频器件、光电子器件等高频半导体领域。
光伏用锗单晶片
晶向<100>，直径4-6英寸，专用于空间太阳能电池基板制造，耐高温抗辐射性能满足卫星能源系统要求。
红外锗光学元件
包括锗透镜、窗口片、棱镜等精密光学器件，工作波段覆盖2-14μm，表面镀制金刚石碳膜（DLC）或AR增透膜，应用于安防监控红外热像仪、车载夜视系统等场景。
红外级锗单晶
采用直拉法（Czochralski）生长的单晶材料，直径最大可达200mm，主要用于热成像系统镜头、夜视仪等红外光学元件的基片制造。
区熔锗锭
通过区域熔炼技术提纯获得的圆柱形锗锭，直径规格覆盖3-6英寸，电阻率0.3-50Ω·cm，主要用作红外光学器件的基体材料。
高纯二氧化锗（4N-6N）
采用化学提纯和还原工艺生产，主要用于半导体级锗单晶制备、PET催化剂及红外光学材料基础原料，应用于光纤通信及红外镜头制造领域。
融资次数
1
员工数量
-
专利数量
44
经营范围
新能源材料及电子材料的研发、生产、销售及技术服务；高纯和超高纯有色金属、稀有金属、贵金属冶炼；半导体材料、有机锗制造、销售及信息技术服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（但国家限定企业经营或禁止进出口的商品和技术除外）；机械设备租赁；危险化学品批发（按许可证所列范围经营）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
以稀散金属锗为核心的材料及红外光学材料、光学元件等先进高端材料的研发、生产、销售和回收为一体的新材料技术业务。
南京中锗科技有限责任公司
有限责任公司
￥3,960万
1990-10-16
王卿伟
025-56209579
zhb@cnge.com.cn
南京市江宁开发区将军大道718号