半导体器件测试与验证
提供专业的产品测试和验证服务，包括电气特性分析、热管理评估和长期可靠性测试，确保器件符合行业标准（如AEC-Q101），以支持客户产品量产和质量控制。
绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片设计
开发高效IGBT芯片技术，优化功率开关特性，聚焦于提高能源转换效率和降低损耗，服务于可再生能源系统、电机驱动和智能电网等高端应用市场。
碳化硅（SiC）MOSFET技术开发
研发基于碳化硅材料的高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET），提升器件效率、高温稳定性和可靠性，主要应用于新能源领域、电动汽车充电系统和大功率电力转换设备。
功率半导体器件设计和研发
专注于高性能功率器件的设计和开发，包括超结MOSFET、屏蔽栅MOSFET、沟槽栅MOSFET、平面栅MOSFET等，覆盖电力电子系统的广泛应用场景，如电源管理、工业控制和汽车电子。
融资次数
3
员工数量
小于50人
专利数量
11
经营范围
一般项目：半导体器件专用设备销售；半导体分立器件销售；电子专用材料研发；电子产品销售；电子专用材料销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电力电子元器件销售；集成电路销售；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片设计及服务；货物进出口；电子元器件批发；技术进出口；进出口代理（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
高性能功率器件的设计和研发
苏州迈志微半导体有限公司
其他有限责任公司
￥1,248万
2021-10-29
刘侠
0512-65026822
leo_yjm@pdisemi.com
苏州高新区竹园路209号2号楼2203