碳化硅涂层复合材料技术
鑫华半导体应用化学气相沉积（CVD）技术在石墨件表面形成均匀碳化硅（SiC）涂层，通过精准的温度和气体流量控制，确保涂层厚度一致且附着力强，适用于高温和腐蚀环境。创新点包括优化沉积参数减少应力裂纹，以及使用等离子增强工艺提升涂层致密性，延长部件寿命并减少维护需求。
半导体级高纯多晶硅制造技术
鑫华半导体采用改良Siemens工艺，结合多级化学提纯和杂质控制技术，实现99.999999%（9N级）以上的多晶硅纯度，专为300mm硅片设计。创新点包括高效杂质去除系统（如低温氢气还原和硅烷净化），以及自动化实时监控，确保金属杂质含量低于1ppb，晶体结构均匀，减少晶格缺陷。
融资次数
4
员工数量
100-499人
专利数量
151
经营范围
半导体材料、电子材料、高纯材料及副产品的研发、制造、销售及技术服务、咨询服务；自营和代理各类商品及技术的进出口业务（国家限定经营或禁止进出口的商品或技术除外）（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）许可项目：检验检测服务（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准）
主营业务
专注于半导体级多晶硅及其相关产品的研发、生产与供应，核心业务围绕适用于300mm硅片的高纯多晶硅材料，服务于半导体制造产业链的关键环节。
江苏鑫华半导体科技股份有限公司
其他股份有限公司(非上市)
￥14.8571亿
2015-12-11
蒋文武
0516-83958888
117748@sinvar.com
徐州经济技术开发区杨山路66号