半极性氮化镓(Semi-polar GaN)晶圆技术
该技术使用创新性的纳米图案化衬底方法在4英寸晶圆上生长半极性GaN材料，区别于传统的c-面GaN，显著减少自发极化和压电极化效应，提高内部量子效率(IQE)至80%以上。关键创新点包括解决绿光间隙问题（绿光效率低下的瓶颈），实现高亮度、低能耗发光；通过优化晶格生长工艺，支持大规模、低成本生产4英寸晶圆，成为行业内领先的解决方案。
融资次数
5
员工数量
50-99人
专利数量
33
经营范围
半导体材料和器件研发、生产、销售及进出口经营（《外商投资产业指导目录（2017年修订）》中限制类和禁止类，以及鼓励类中有股权要求、高管要求的项目和产品不得生产经营）(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动)
主营业务
研发、生产和销售半极性氮化镓晶圆衬底产品，服务于光电子领域的多种应用，包括大功率LED、激光二极管、VCSEL和绿光激光器等，以提升器件效率和性能。
西安赛富乐斯半导体科技有限公司
有限责任公司（外商投资、非独资）
￥601万
2017-05-27
CHEN CHEN
029-81142027
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