高压和功率半导体技术
针对高电压和功率应用开发的工艺，如BCD（双极-CMOS-DMOS）平台，集成高压、模拟和数字模块，实现稳定性和抗噪声能力。创新点在于多技术混合集成，满足严苛工业环境需求。
射频SOI（绝缘体上硅）技术
用于高频应用的特色工艺，通过在硅基材上形成绝缘层，实现低噪声、高线性度和高隔离度，适用于5G和物联网通信。创新点在于集成度优化和功耗控制，提升射频前端模块的性能效率。
成熟制程节点技术
涵盖28nm、55nm等主流工艺，通过优化光刻、蚀刻和掺杂过程，实现成本高效的大规模量产。其创新点在于工艺稳定性和良率控制上的积累，支持多样化产品需求，确保在成熟节点的全球竞争力。
FinFET技术
基于三维鳍形场效应晶体管的先进制程工艺，用于14nm及以下节点（如N+1/N+2等效节点），通过增加栅极对通道的有效控制，显著降低漏电流并提升能效比，实现高性能与低功耗的平衡。创新点在于其自主研发体系，推动了中国在先进半导体工艺上的自给自足，克服了外部技术限制。
A股代码
688981.SH
港股代码
00981.HK
员工数量
10000人以上
专利数量
1
主营业务
作为中国大陆技术最先进、规模最大、配套服务最完善的集成电路晶圆代工企业，中芯国际的核心主营业务是为客户提供涵盖多种成熟及先进技术节点的集成电路晶圆代工与配套服务，专注于逻辑工艺和多种特色工艺平台的研发与生产制造。