晶体硅异质结太阳电池
该技术基于异质结（HJT/SHJ）结构，核心是在N型单晶硅片两面分别沉积本征非晶硅薄膜（i-a-Si:H）和掺杂非晶硅薄膜（P型a-Si:H与N型a-Si:H），形成对称的双面钝化接触结构。其创新点在于：1.采用本征非晶硅钝化晶硅表面，大幅降低载流子表面复合速率；2.使用透明导电氧化物（TCO）薄膜实现横向电流传输，取代传统金属电极接触；3.实现接近26%的实验室电池效率及25%以上量产效率。