GaN功率器件技术
基于横向场效应管结构研发的氮化镓功率芯片，创新点在于采用了缓冲层设计和异质结增强机制，优化了电子迁移率和热传导性能，实现超高频切换和尺寸微型化。
SiC功率半导体技术
芯一代的碳化硅基功率器件采用垂直沟道MOSFET结构，创新点在于结合了肖特基势垒二极管和优化栅极设计，提高了器件在高电压下的阻断能力和开关速度，减少了系统能耗。
MOSFET功率器件技术
基于深沟槽栅极和超级结技术开发的金属氧化物半导体场效应晶体管芯片，创新点在于增强了源漏隔离能力和栅极驱动效率，实现了低噪声、高速切换，特别适合高频电源转换场景。
IGBT芯片技术
芯一代研发的绝缘栅双极晶体管芯片，采用先进的多胞元结构和载流子存储层技术，创新点在于优化了导通特性和开关速度，显著降低了动态损耗和热生成，适用于高功率密度应用。
融资次数
3
员工数量
小于50人
专利数量
94
经营范围
一般项目：集成电路设计；集成电路制造；集成电路芯片及产品制造；半导体分立器件制造；集成电路销售；电子元器件批发；电子元器件制造；电子元器件零售；电力电子元器件销售；集成电路芯片及产品销售；软件开发；技术进出口；货物进出口；计算机软硬件及外围设备制造；信息技术咨询服务；电子产品销售；计算机软硬件及辅助设备零售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
芯一代专注于IGBT、MOSFET及第三代半导体SiC/GaN功率器件芯片的研发与销售，产品覆盖电源管理、新能源及工业控制等领域。
厦门芯一代集成电路有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥1,190万
2017-06-29
陈利
0592-6016117
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